型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT 600V 34A 100W TO220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRG4BC30S Series 600 V 18 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRG4BC30SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRG4BC30SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | 600V DC-1 KHZ (STANDARD) DISCRETE IGBT IN A TO-220AB PACKAGE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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IRG4BC30SPBF [更多] | International Rectifier |
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IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT, 600V, 34A, TO-220
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | International Rectifier | IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 390 ns Power dissipation: 100 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4BC30SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: IGBT, 600V, 34A, 100W, TO220AB
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