| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IRF7404TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IRF7404TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IRF7404TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single P-Channel 20 V 0.04 Ohm 50 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7404PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7404PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7404PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -20V, RDS(ON) 0.04Ohm, ID -6.7A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-12V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -20V, -6.7A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7404PBF [更多] | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.7A I(D), 20V, 0.04OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA
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