| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF630NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF630NSPBF [更多] | International Rectifier |
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| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRF630NSPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 82 W
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| IRF630NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 9.5A, 82W, D2PAK, HEXFET?
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