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IRF5210SPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

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IRF5210SPBF
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Infineon Technologies AG

Single P-Channel 100 V 60 mOhm 150 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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IRF5210SPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC

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Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF5210SPBF)

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Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF5210SPBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF5210SPBF)

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -100V, RDS(ON) 60 Milliohms, ID -38A, D2Pak, PD 170W, -55degc

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Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

MOSFET, P, D2-PAK

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 200 W

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IRF5210SPBF
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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -100V, -40A, 3.8W, D2PAK, HEXFET?

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IRF5210SPBF
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International Rectifier

38 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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International Rectifier

38 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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International Rectifier

38 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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38 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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38 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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