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IPB027N10N3GATMA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

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IPB027N10N3GATMA1
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 206 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK

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IPB027N10N3GATMA1
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 206 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IPB027N10N3 G
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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IPB027N10N3GATMA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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IPB027N10N3GATMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB027N10N3GATMA1)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 120A I(D), 100V, 0.0027OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

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