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| BDP950H6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BDP950H6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: BDP950H6327XTSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| BDP950H6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: BDP950H6327XTSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| BDP950H6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: BDP 950 H6327) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BDP950H6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Small Signal FET Marking: BDP 950 Housing type: SOT-223 Polarity: PNP Amplification: 25 ... Amplification min.: 25 Collector-emitter voltage: -60 V Power dissipation: 5 W Transit frequency: 100 MHz
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| BDP950H6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: PNP, bipolar, 60V, 3A, 5W, SOT223
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