ZXMC10A816N8T,ZXMC10A816N8T|Diodes/Zetex-ZXMC10A816N8T原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
ZXMC10A816N8TC
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Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

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MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

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MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

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ZXMC10A816N8TC
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Diodes Incorporated

MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

RoHS: Compliant

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ZXMC10A816N8TC
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R

RoHS: Compliant

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ZXMC10A816N8TC
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMC10A816N8TC)

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ZXMC10A816N8TA
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Diodes Incorporated

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET - Tape and Reel (Alt: ZXMC10A816N8TA)

RoHS: Not Compliant

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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A 8-Pin SO T/R (Alt: ZXMC10A816N8TC)

RoHS: Compliant

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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R

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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R

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ZXMC10A816N8TC
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Zetex / Diodes Inc

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R

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ZXMC10A816N8TC
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Zetex / Diodes Inc

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R

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ZXMC10A816N8TA
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Zetex / Diodes Inc

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC10A816N8TC
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Diodes Incorporated

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.3 W

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ZXMC10A816N8TC
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Diodes Incorporated

Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 100/-100V, 2.2/-2.1A, 2.4W, SO8

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ZXMC10A816N8T Diodes/Zetex MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8 查看库存、价格及货期
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Diodes Incorporated - ZXMC10A816N8TC - MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP

型号:ZXMC10A816N8TC
仓库库存编号:ZXMC10A816N8DICT-ND
别名:ZXMC10A816N8DICT
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图ZXMC10A816N8T
Diodes/Zetex
MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8
Rohs

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ZXMC10A816N8TC|Diodes IncZXMC10A816N8TC
Diodes Inc
MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
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Diodes Incorporated - ZXMC10A816N8TC - MOSFET N/P, 100 V 2.1 A 1.3 W SO-8, ZXMC10A816N8TC, Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
MOSFET N/P, 100 V 2.1 A 1.3 W SO-8, ZXMC10A816N8TC, Diodes Incorporated


型号:ZXMC10A816N8TC
仓库库存编号:300-41-561

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
ZXMC10A816N8TC|Diodes IncZXMC10A816N8TC
Diodes Inc
MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

DiodesZetex - ZXMC10A816N8TC - DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET ZXMC10A816N8TC, 2.3 A,2.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
ZXMC10A816N8TC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5335
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ZXMC10A816N8TC|Diodes IncZXMC10A816N8TC
Diodes Inc
MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
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ZXMC10A816N8TC|Diodes Inc. / ZetexZXMC10A816N8TC
Diodes Inc. / Zetex
MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
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无图ZXMC10A816N8T
Diodes/Zetex
MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMC10A816N8T
制造商型号: ZXMC10A816N8T
制造商: Diodes/Zetex
描述: MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间12.1(N 沟道)ns,20(P 沟道)ns
典型接通延迟时间2.9(N 沟道)ns,4.3(P 沟道)ns
典型栅极电荷@Vgs16.5(P 沟道)V,9.2 nC V @ 10(N 沟道)
典型输入电容值@Vds497 pF @ 50 V(N 沟道),717 pF @ -50 V(P 沟道)
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SO
尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.4(N 沟道)W,2.6(P 沟道)W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100(N 沟道)V,-100(P 沟道)V
最大漏源电阻值0.3(N 沟道)Ω,0.32(P 沟道)Ω
最大连续漏极电流2.3(N 沟道)A,-2.4(P 沟道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双漏极
长度5mm
高度1.5mm

手机网站相关详细信息:ZXMC10A816N8T
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