型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMC10A816N8TC) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
ZXMC10A816N8TA [更多] | Diodes Incorporated | 100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET - Tape and Reel (Alt: ZXMC10A816N8TA) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A 8-Pin SO T/R (Alt: ZXMC10A816N8TC) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Zetex / Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Zetex / Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/2.2A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
ZXMC10A816N8TA [更多] | Zetex / Diodes Inc | 100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.3 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 100/-100V, 2.2/-2.1A, 2.4W, SO8
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
ZXMC10A816N8T | Diodes/Zetex | MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP 型号:ZXMC10A816N8TC 仓库库存编号:ZXMC10A816N8DICT-ND 别名:ZXMC10A816N8DICT | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
ZXMC10A816N8T Diodes/Zetex | MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
ZXMC10A816N8TC Diodes Inc | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
Diodes Incorporated MOSFET N/P, 100 V 2.1 A 1.3 W SO-8, ZXMC10A816N8TC, Diodes Incorporated 型号:ZXMC10A816N8TC 仓库库存编号:300-41-561 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC Diodes Inc | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
制造商零件编号: ZXMC10A816N8TC 品牌: DiodesZetex 库存编号: 751-5335 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
ZXMC10A816N8TC Diodes Inc | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 | |
ZXMC10A816N8TC Diodes Inc. / Zetex | MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE | 查价格库存 查看详细 | |
ZXMC10A816N8T Diodes/Zetex | MOSFET,双,N/P沟道,100V,2.1A/2.2A,SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 12.1(N 沟道)ns,20(P 沟道)ns | |
典型接通延迟时间 | 2.9(N 沟道)ns,4.3(P 沟道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 16.5(P 沟道)V,9.2 nC V @ 10(N 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 497 pF @ 50 V(N 沟道),717 pF @ -50 V(P 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SO | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.4(N 沟道)W,2.6(P 沟道)W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100(N 沟道)V,-100(P 沟道)V | |
最大漏源电阻值 | 0.3(N 沟道)Ω,0.32(P 沟道)Ω | |
最大连续漏极电流 | 2.3(N 沟道)A,-2.4(P 沟道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |