型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
ZXM66N02N8TA | Diodes Inc | MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO 型号:ZXM66N02N8TA 仓库库存编号:ZXM66N02N8DKR-ND 别名:ZXM66N02N8DKR | 含铅 | 搜索 |
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ZXM66N02N8TA Diodes Inc | MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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ZXM66N02N8TA Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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数据列表 | ZXM66N02N8 |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | Digi-Reel® |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 15 毫欧 @ 4.1A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | ZXM66N02N8DKR |