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TN0200K
- 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23 - TN0200K
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TN0200K
制造商型号:
TN0200K
制造商:
VISHAY
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 730mA
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 400mohm
功耗, Pd: 35W
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
SMD标号: K2ywl
功耗, Pd: 35W
功耗, Pd: 350mW
封装/箱盒: SOT-23 (TO-236)
带子宽度: 8mm
总功率, Ptot: 350mW
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
电流, Idm 脉冲: 4A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th 最高: 1V
产地: PH Philippines
手机网站相关详细信息:
TN0200K
旗下站点
www.szcwdz.cn
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旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: TN0200K 品牌: VISHAY 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
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