| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SUD08P06-155L-T4E3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH 20V 8.4A TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.4A（Tc） 1.7W（Ta），20.8W（Tc） TO-252，（D-Pak） 型号：SUD08P06-155L-T4E3 仓库库存编号：SUD08P06-155L-T4E3-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 产品相片 | TO-263 |
|---|---|
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 155 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
