STGB3NB60SDT4,STGB3NB60SDT4|STMicroelectronics代理分销-STGB3NB60SDT4原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STGB3NB60SD |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | PowerMESH™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.5V @ 15V，3A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25A |
| 功率 - 最大值 | 70W |
| Switching Energy | 1.15mJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (on/off) A 25°C | 125ns/3.4µs |
| Test Condition | 480V, 3A, 1 千欧, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 1700ns |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
