STGB20NB32LZ,STGB20NB32LZ|STMicroelectronics代理分销-STGB20NB32LZ原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STGB20NB32LZ(-1) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | PowerMESH™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 375V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2V @ 4.5V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 40A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 逻辑 |
| Gate Charge | 51nC |
| Td (on/off) A 25°C | 2.3µs/11.5µs |
| Test Condition | 250V，20A，1 千欧，4.5V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 产品目录页面 | 1544 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-3522-5 |
