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| STB76NF80 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STB76NF80 | 2344097 | STMICROELECTRONICS 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK 型号：STB76NF80 仓库库存编号：497-10566-1-ND 别名：497-10566-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STB76NF80 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10566-2 |
