STB55NF06,STB55NF06|STMicroelectronics-STB55NF06原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
STB55NF06T4
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MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

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STB55NF06T4
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MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

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MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

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MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

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MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

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MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp

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MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp

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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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STB55NF06T4
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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Cut Tape Product (Alt: STB55NF06T4)

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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB55NF06T4)

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Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB55NF06LT4)

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MOSFET, N CH, 60V, 55A, D2PAK

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MOSFET, N CH, 60V, 55A, D2PAK

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MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK

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MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK

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N-Channel 60 V 18 mO SMT STripFET II Power Mosfet - D2PAK

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55 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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STB55NF06 STMicroelectronics MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK 查看库存、价格及货期
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无图STB55NF06
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK
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无图STB55NF06L
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK
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无图STB55NF06LT
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK
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STB55NF06LT4|STMicroelectronicsSTB55NF06LT4
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
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无图STB55NF06T
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STB55NF06T4|STMicroelectronicsSTB55NF06T4
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
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STB55NF06LT4|STMicroelectronicsSTB55NF06LT4
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无图STB55NF06
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无图STB55NF06LT
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK
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STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，50A，UltraFET II，D2PAK
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STB55NF06T4|STMicroelectronicsSTB55NF06T4
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

STMicroelectronics - STB55NF06T4 - MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK

型号：STB55NF06T4
仓库库存编号：497-6553-1-ND
别名：497-6553-1 <br>

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STMicroelectronics - STB55NF06LT4 - MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 95W（Tc） D2PAK

型号：STB55NF06LT4
仓库库存编号：497-7462-1-ND
别名：497-7462-1 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STB55NF06T4
STMICROELECTRONICS STB55NF06T4		1752003

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 60 V, 15 mohm, 10 V, 3 V

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STB55NF06T4
STMICROELECTRONICS STB55NF06T4		1752003RL

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 60 V, 15 mohm, 10 V, 3 V

 (EN)		搜索
STB55NF06LT4
STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4		1752002

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V

 (EN)		搜索
STB55NF06LT4
STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4		1752002RL

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STB55NF06 - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB55NF06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
STB55NF06
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
485-7254
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STMicroelectronics - STB55NF06L - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
STB55NF06L
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
486-1922
搜索

STMicroelectronics - STB55NF06T4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB55NF06T4, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
STB55NF06T4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
687-5197
搜索

STMicroelectronics - STB55NF06T4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB55NF06T4, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
STB55NF06T4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
920-6608
搜索

STMicroelectronics - STB55NF06LT4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06LT4, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
STB55NF06LT4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
761-0405
搜索

STMicroelectronics - STB55NF06LT4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06LT4, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
STB55NF06LT4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
920-8792
搜索
无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STB55NF06
制造商型号： STB55NF06
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间40 ns
典型接通延迟时间20 ns
典型栅极电荷@Vgs27 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds1700 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度9.35mm
封装类型D2PAK
尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散95000 mW
最大栅源电压±16 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.018 Ω
最大连续漏极电流55 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置单
长度10.4mm
高度4.6mm

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