| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STB3N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STB3N62K3 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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STB3N62K3 | 2098139 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V (EN) | 搜索 |
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-263封装
| 制造商零件编号： STB3N62K3 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 760-9831 | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） D2PAK 型号：STB3N62K3 仓库库存编号：497-8476-1-ND 别名：497-8476-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STx3N62K3 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 其它有关文件 | STB3N62K3 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 620V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 385pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 45W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 产品目录页面 | 1542 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-8476-2 |
