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SSM3J331R,LF
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

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MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

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MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

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MOSFETs

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Toshiba America Electronic Components

PB-F SOT-23F PCH MOSFET (LF) TRANSISTOR PD: 1W VDS=-20V - Tape and Reel (Alt: SSM3J331R,LF)

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Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F

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MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET MOSFET (LF) TRANS PD=1W F=1MHZ

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Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J331R,LF - MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F

型号:SSM3J331R,LF
仓库库存编号:SSM3J331RLFCT-ND
别名:SSM3J331RLF(TCT <br>SSM3J331RLF(TCT-ND <br>SSM3J331RLFCT <br>

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SSM3J331R,LF|Toshiba
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SSM3J331R,LF
制造商型号: SSM3J331R,LF
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 SSM3J331R
产品相片 SOT-23-3 Flat Leads
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能*
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)55 毫欧 @ 3A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)630pF @ 10V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-3 扁平引线
供应商器件封装SOT-23F
其它名称SSM3J331RLF
SSM3J331RLFTR

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