| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPW11N80C3 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 RoHS: Compliant | 搜索 |
| SPW11N80C3FKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPW11N80C3FKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| SPW11N80C3FKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPW11N80C3 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 7.1A, 156W, PG-TO247-3
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPW11N80C3 [更多] | Infineon Technologies AG | 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SPW11N80C | Infineon | MOSFET，N沟道，800V，11A，CoolMOS，TO247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SPW11N80C Infineon | MOSFET，N沟道，800V，11A，CoolMOS，TO247 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | SPW11N80C3 INFINEON | 场效应管 MOSFET COOLMOS N TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| SPW11N80C3XK Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SPW11N80C3 INFINEON | 场效应管 MOSFET COOLMOS N TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
 | SPW11N80C3 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| SPW11N80C Infineon | MOSFET，N沟道，800V，11A，CoolMOS，TO247 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3 型号：SPW11N80C3 仓库库存编号：SPW11N80C3IN-ND 别名：SP000013703 <br>SPW11N80C3FKSA1 <br>SPW11N80C3IN <br>SPW11N80C3X <br>SPW11N80C3XK <br>SPW11N80C3XTIN <br>SPW11N80C3XTIN-ND <br> | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SPW11N80C3 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： SPW11N80C3 品牌： Infineon 库存编号： 752-8505 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 72 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 64 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1600 pF V @ 100 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 封装类型 | PG-TO-247-3 | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 156 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.45 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 高度 | 21.1mm |
