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| SPN02N60S5 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 600V 400mA SOT-223-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SPN02N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4 型号：SPN02N60S5 仓库库存编号：SPN02N60S5-ND 别名：SP000012412 <br>SP000101880 <br>SPN02N60S5T <br> | 含铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SPN02N60S5 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 400mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 80µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | SP000012412 SP000101880 SPN02N60S5T |
