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SPI08N50C3XKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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SPI08N50C3 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 560V 7.6A I2PAK-3 CoolMOS C3 RoHS: Compliant | 搜索 |
SPI08N50C3XKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 560V 7.6A I2PAK-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPI08N50C3 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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SPI08N50C3HKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: SPI08N50C3HKSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
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SPI08N50C3 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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SPI08N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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SPI08N50C3 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
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数据列表 | SP(P,I,A)08N50C3 |
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产品相片 | TO-262-3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 560V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.6A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 600 毫欧 @ 4.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 350µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 750pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 32W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
其它名称 | SP000014461 SPI08N50C3-ND SPI08N50C3IN SPI08N50C3X SPI08N50C3XK |