SPI08N50C3,SPI08N50C3|Infineon Technologies-SPI08N50C3原装现货,PDF下载
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262

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SPI08N50C3
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 560V 7.6A I2PAK-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 560V 7.6A I2PAK-3

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SPI08N50C3
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262

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SPI08N50C3HKSA1
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Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: SPI08N50C3HKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: SPI08N50C3HKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: SPI08N50C3XKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262

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SPI08N50C3|Infineon Technologies
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SPI08N50C3
制造商型号: SPI08N50C3
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 SP(P,I,A)08N50C3
产品相片 TO-262-3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)600 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)750pF @ 25V
功率 - 最大值32W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称SP000014461
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
SPI08N50C3X
SPI08N50C3XK

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