| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPD08P06P G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
| SPD08P06PGBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
| SPD08P06PGXT [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPD08P06PGBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SPD08P06PGBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SPD08P06PGBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SPD08P06 | Infineon | MOSFET，P沟道，60V，8.83A，TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SPD08P06 Infineon | MOSFET，P沟道，60V，8.83A，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | SPD08P06P INFINEON | 场效应管 MOSFET COOLMOS P D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
 | SPD08P06P G INFINEON | 场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.83A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06PG Infineon technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252 | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06PGXT Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06PGXT-BKN Infineon | TRANS MOSFET P-CH 60V 8.83A 3PIN TO-252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SPD08P06P Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06P G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SPD08P06 Infineon | MOSFET，P沟道，60V，8.83A，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06P INFINEON | 场效应管 MOSFET COOLMOS P D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
 | SPD08P06P Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| SPD08P06P G INFINEON | 场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.83A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
 | SPD08P06P G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3 型号：SPD08P06P 仓库库存编号：SPD08P06P-ND 别名：SP000077441 <br>SPD08P06PXT <br> | 无铅 | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： SPD08P06P 品牌： Infineon 库存编号： 462-3247 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： SPD08P06P G 品牌： Infineon 库存编号： 753-3188 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 335 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 尺寸 | 6.5 x 6.22 x 2.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 8.83 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm |
