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SPB03N60C3
- 场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK - SPB03N60C3
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SPB03N60C3
制造商型号:
SPB03N60C3
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 3.2A
漏源电压, Vds: 600V
在电阻RDS(上): 1.4ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 38W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
功耗, Pd: 38W
功耗, Pd: 38W
封装/箱盒: D2-PAK
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 3.2A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 600V
电压, Vds 典型值: 650V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 9.6A
表面安装器件: SMD
产地: KR Korea (Republic of)
手机网站相关详细信息:
SPB03N60C3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
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旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
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询价
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型号: SPB03N60C3 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
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Q Q:
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