SMUN5111DW1T1G,SMUN5111DW1T1G|ON Semiconductor代理分销-SMUN5111DW1T1G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | MUN5111DW1, NSBA114EDxx |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300nA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 385mW |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | SMUN5111DW1T1G-ND SMUN5111DW1T1GOSTR |
