型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIHF8N50D-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIHF8N50D-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIHF8N50D-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin TO-220 Full-Pak - Tape and Reel (Alt: SIHF8N50D-E3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIHF8N50D-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N-CH, 500V, 8.7A, TO-220FP
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIHF8N50D-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 500V 850MOHM@10V 8.7A N-CH D-SRS RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIHF8N50D-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIHF8N50D-E3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK 详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包 型号:SIHF8N50D-E3 仓库库存编号:SIHF8N50D-E3-ND 别名:SIHF8N50D-E3CT <br>SIHF8N50D-E3CT-ND <br>SIHF8N50DE3 <br> | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SIHF8N50D-E3![]() | 2283614 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 V ![]() | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: SIHF8N50D-E3 品牌: Vishay 库存编号: 787-9162 | 搜索 |
数据列表 | SIHF8N50D |
---|---|
产品相片 | TO-220AB |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8.7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 850 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 527pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 33W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220 整包 |
其它名称 | SIHF8N50D-E3TR SIHF8N50DE3 |