SIA415DJ-T1-GE3,SIA415DJ-T1-GE3|VISHAY代理分销-SIA415DJT1GE3原装现货,PDF下载
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SIA415DJ-T1-GE3
- MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V - SIA415DJT1GE3
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SIA415DJ-T1-GE3
制造商型号:
SIA415DJ-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.035 Ω
Qg Gate Charge:
47 nC
Rated Power Dissipation:
3.5 W
手机网站相关详细信息:
SIA415DJ-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SIA415DJ-T1-GE3
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www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
SIA415DJ-T1-GE3
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型号: SIA415DJ-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V
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Q Q:
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