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SI7483ADP-T1-E3
- P沟道 30-V (漏-源) MOSFET - SI7483ADPT1E3
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SI7483ADP-T1-E3
制造商型号:
SI7483ADP-T1-E3
制造商:
VISHAY
描述:
P沟道 30-V (漏-源) MOSFET
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30 V
Drain-Source On Resistance-Max:
5.7 mΩ
Qg Gate Charge:
180 nC
Rated Power Dissipation:
1.9 W
手机网站相关详细信息:
SI7483ADP-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.cn
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型号: SI7483ADP-T1-E3 品牌: VISHAY 备注: P沟道 30-V (漏-源) MOSFET
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