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SI5902DC-T1 VISHAY SILICONIX MOSFET 30V 3.9A 2.1W 查看库存、价格及货期
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无图SI5902DC-T1-E3
VISHAY
双 N沟道 30 V 0.085 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - 1206-8 ChipFET
Rohs

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SI5902DC-T1-E3|Vishay SiliconixSI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8
Rohs

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SI5902DC-T1|VISHAY SILICONIXSI5902DC-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 30V 3.9A 2.1W
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无图SI5902DC-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 30V 3.9A 2.1W
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SI5902DC-T1-E3|VISHAYSI5902DC-T1-E3
VISHAY
双 N沟道 30 V 0.085 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - 1206-8 ChipFET
Rohs

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SI5902DC-T1-E3|Vishay SiliconixSI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8
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SI5902DC-T1-E3
VISHAY SI5902DC-T1-E3
2335333

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.9 A, 30 V, 0.072 ohm, 10 V, 1 V

(EN)
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Siliconix / Vishay - SI5902DC-T1-E3 - DUAL N-CH 30V (D-S) RATED MOSFET|70026249 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
DUAL N-CH 30V (D-S) RATED MOSFET


型号:SI5902DC-T1-E3
仓库库存编号:70026249

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Vishay Siliconix - SI5902DC-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?

型号:SI5902DC-T1-E3
仓库库存编号:SI5902DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5902DC-T1-E3CT
无铅搜索
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI5902DC-T1
制造商型号: SI5902DC-T1
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30V 3.9A 2.1W
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:2.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):85 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:1206-8 ChipFET
封装:Reel
下降时间:12 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.1 W
上升时间:12 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:12 ns

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