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| SI5475DC-T1-E3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET? 型号：SI5475DC-T1-E3 仓库库存编号：SI5475DC-T1-E3-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SI5475DC |
|---|---|
| 产品相片 | Pkg 5547 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 31 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET? |
