型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4569DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4569DY-T1-E | Vishay | MOSFET,双,N/P沟道,40V,6A/6.1A,SO8 | 查看库存、价格及货期 |
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SI4569DY-T1-E Vishay | MOSFET,双,N/P沟道,40V,6A/6.1A,SO8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
SI4569DY-T1-E3 VISHAY | N 和 P 沟道 单 N 沟道 40 V 0.027/0.029 Ohms 功率 Mosfet - SOIC-8 | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI4569DY-T1-E3 VISHAY | N 和 P 沟道 单 N 沟道 40 V 0.027/0.029 Ohms 功率 Mosfet - SOIC-8 | 查价格库存 查看详细 | |
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 | |
SI4569DY-T1-E Vishay | MOSFET,双,N/P沟道,40V,6A/6.1A,SO8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.6A, 7.9A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO 型号:SI4569DY-T1-E3 仓库库存编号:SI4569DY-T1-E3CT-ND 别名:SI4569DY-T1-E3CT | 无铅 | 搜索 |
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SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 24(N 沟道)ns,60(P 沟道)ns | |
典型接通延迟时间 | 12(N 沟道)ns,26(P 沟道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 20 V(N 沟道),41 nC @ -20 V(P 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 1505 pF @ -20 V(P 沟道),855 pF @ 20 V(N 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SO-8 | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3.1(N 沟道)W,3.2(P 沟道)W | |
最大栅源电压 | ±16 V | |
最大漏源电压 | 40(N 沟道)V,-40(P 沟道)V | |
最大漏源电阻值 | 0.032(N 沟道)Ω,0.039(P 沟道)Ω | |
最大连续漏极电流 | 7.6(N 沟道)A,-7.9(P 沟道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |