型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4567DY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 40V 5.0/4.4A 60/85mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4567DY-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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SI4567DY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO 型号:SI4567DY-T1-GE3 仓库库存编号:SI4567DY-T1-GE3-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | SI4567DY |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5A,4.4A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 60 毫欧 @ 4.1A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 355pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 2.75W,2.95W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |