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SI4567DY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 40V 5.0/4.4A 60/85mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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Vishay Siliconix - SI4567DY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO

型号:SI4567DY-T1-GE3
仓库库存编号:SI4567DY-T1-GE3-ND
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SI4567DY-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4567DY-T1-GE3
制造商型号: SI4567DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 SI4567DY
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5A,4.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)60 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)355pF @ 20V
功率 - 最大值2.75W,2.95W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N

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