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SI4532ADY
制造商型号： SI4532ADY
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET 双 NP SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双 NP SO-8
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 4.9A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 53mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 1.2W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 功耗, Pd: 1.13W
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管数: 2
  • 最高电压, Vds P沟道: 30V
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 8nC
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 10nC
  • 漏极电流, Id 最大值: 3.7A
  • 漏极连续电流, Id P沟道: 3A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds N沟道 1: 30V
  • 电压, Vds P沟道 1: 30V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 20A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V N沟道: 53mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V P沟道: 80mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V N沟道: 75mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V P沟道: 135mohm
  • 通态电阻, P沟道 最大: 80mohm
产地： CN China

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