| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI3951DV-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| SI3951DV-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI3951DV-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3951DV-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI3951DV-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SI3951DV-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP 详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 2W Surface Mount 6-TSOP 型号：SI3951DV-T1-GE3 仓库库存编号：SI3951DV-T1-GE3-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SI3951DV |
|---|---|
| 产品相片 | Pkg 5540 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.7A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 115 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.1nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 250pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
