SI2315BDS-T1,SI2315BDS-T1|VISHAY SILICONIX-SI2315BDST1原装现货,PDF下载
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SI2315BDS-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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SI2315BDS-T1-GE3
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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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SI2315BDS-T1
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MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

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MOSFET 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V

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MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

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SI2315BDS-T1-E3
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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI2315BDS-T1-E3/BKN)

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SI2315BDS-T1-E3
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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2315BDS-T1-E3)

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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2315BDS-T1-E3)

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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2315BDS-T1-GE3)

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SI2315BDS-T1-GE3
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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Cut Tape Product (Alt: SI2315BDS-T1-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2315BDS-T1-E3
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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, P, -12V, -3.85A, SOT-23

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MOSFET, P, -12V, -3.85A, SOT-23

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P CHANNEL MOSFET

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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 12 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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SI2315BDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 12 V 0.100 Ohm 15 nC 0.75 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI2315BDS-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET, Power, P-Channel, -12 V, 8 V, 3.5 A, 1.25 W, -55 to 150 degC

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SI2315BDS-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

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SI2315BDS-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -12V, -3A, 1.19W, SOT23

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SI2315BDS-T1
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Vishay Semiconductors

3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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SI2315BDS-T1-E3
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Vishay Semiconductors

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 12V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236AB

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SI2315BDS-T1 VISHAY SILICONIX MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W 查看库存、价格及货期
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无图SI2315BDS-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Rohs

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SI2315BDS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2315BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
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无图SI2315BDS-T1-E
Vishay
MOSFET,P沟道,12V,3A,TO236
Rohs

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SI2315BDS-T1-GE3|Vishay SiliconixSI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Rohs

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SI2315BDS-T1|VISHAY SILICONIXSI2315BDS-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图SI2315BDS-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
Rohs

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无图SI2315BDS-T1-E
Vishay
MOSFET,P沟道,12V,3A,TO236
Rohs

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SI2315BDS-T1-E3|VISHAYSI2315BDS-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Rohs

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无图SI2315BDST1GE3
Vishay
原厂原装货
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SI2315BDS-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI2315BDS-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SI2315BDS-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)

型号:SI2315BDS-T1-E3
仓库库存编号:SI2315BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2315BDS-T1-E3CT <br>

无铅
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Vishay Siliconix - SI2315BDS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta)

型号:SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号:SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2315BDS-T1-GE3CT <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI2315BDS-T1-E3
VISHAY SI2315BDS-T1-E3
1470105

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV

(EN)
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SI2315BDS-T1-E3
VISHAY SI2315BDS-T1-E3
1470105RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV

(EN)
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SI2315BDS-T1-GE3
VISHAY SI2315BDS-T1-GE3
1867177

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW

(EN)
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI2315BDS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2315BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Rohs

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SI2315BDS-T1-GE3|Vishay SiliconixSI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Rohs

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  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Siliconix / Vishay - SI2315BDS-T1-E3 - -55 to 150 degC 1.25 W 3.5 A 8 V -12 V P-Channel MOSFET, Power|70026068 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET, Power; P-Channel; -12 V; 8 V; 3.5 A; 1.25 W; -55 to 150 degC


型号:SI2315BDS-T1-E3
仓库库存编号:70026068

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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI2315BDS-T1
制造商型号: SI2315BDS-T1
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):100 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-236-3
封装:Reel
下降时间:35 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:750 mW
上升时间:35 ns
工厂包装数量:3000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:50 ns

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