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RSQ035N03TR
- 场效应管 MOSFET N 30V 3.5A - RSQ035N03TR
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RSQ035N03TR
制造商型号:
RSQ035N03TR
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET N 30V 3.5A
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N 30V 3.5A
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 3.5A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 62mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
功耗, Pd: 1.25W
封装类型: TSMT
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
上升时间: 9ns
下降时间: 6ns
封装/箱盒: TSMT6
晶体管类型: 被保护的MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 30V
电容值, Ciss 典型值: 290pF
电流, Idm 脉冲: 14A
表面安装器件: SMD
通态电阻 @ Vgs = 10V: 62mohm
通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 84mohm
针脚配置: D(1+2+5+6), G(3), S(4)
阈值电压, Vgs th 最低: 1V
阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
产地: KR Korea (Republic of)
手机网站相关详细信息:
RSQ035N03TR
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
RSQ035N03TR
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: RSQ035N03TR 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET N 30V 3.5A
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