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| RJK03C0DP | Renesas Electronics | MOSFET，N沟道，30V，70A，WPAK(2)8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | RJK03C0DP Renesas Electronics | MOSFET，N沟道，30V，70A，WPAK(2)8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 102 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 66 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 11000 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 封装类型 | WPAK2 | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 0.8mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 70 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、三源 | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 0.8mm |
