RFD3055LE,RFD3055LE|FAIRCHILD代理分销-RFD3055LE原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
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RFD3055LE FAIRCHILD RFD3055LE系列 N沟道 60 V 0.107 Ohms 逻辑电平 功率MOSTEF - TO-251AA 查看库存、价格及货期
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RFD3055LE|FAIRCHILDRFD3055LE
FAIRCHILD		RFD3055LE系列 N沟道 60 V 0.107 Ohms 逻辑电平 功率MOSTEF - TO-251AA
Rohs

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无图RFD 3055LE
Fairchild Semiconductor		原厂原装货
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无图RFD3055LE .
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR		原厂原装货
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无图RFD3055LE_Q
Fairchild Semiconductor		MOSFET TO-251AA N-Ch Power
Rohs

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无图RFD3055LE-R4470
Fairchild Semiconductor		原厂原装货
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无图RFD3055LE_R4470
Fairchild Semiconductor		原厂原装货
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无图RFD3055LE-R4821
Fairchild Semiconductor		原厂原装货
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无图RFD3055LE_R4821
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-Ch Power MOSFET
Rohs

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RFD3055LESM|Fairchild SemiconductorRFD3055LESM
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
RFD3055LE|FAIRCHILDRFD3055LE
FAIRCHILD		RFD3055LE系列 N沟道 60 V 0.107 Ohms 逻辑电平 功率MOSTEF - TO-251AA
Rohs

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RFD3055LE|Fairchild SemiconductorRFD3055LE
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Rohs

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RFD3055LE_Q|Fairchild SemiconductorRFD3055LE_Q
Fairchild Semiconductor		MOSFET TO-251AA N-Ch Power
Rohs

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RFD3055LE_R4821|Fairchild SemiconductorRFD3055LE_R4821
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-Ch Power MOSFET
Rohs

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RFD3055LESM|Fairchild SemiconductorRFD3055LESM
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Rohs

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RFD3055LESM9A|FAIRCHILDRFD3055LESM9A
FAIRCHILD		RFD3055LESM系列 N沟道 60 V 0.107 Ohm 逻辑电平 功率MOSTEF - TO-252AA
Rohs

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RFD3055LESM9A|Fairchild SemiconductorRFD3055LESM9A
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
RFD3055LE|Fairchild SemiconductorRFD3055LE
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Rohs

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RFD3055LESM|Fairchild SemiconductorRFD3055LESM
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Rohs

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RFD3055LESM9A|Fairchild SemiconductorRFD3055LESM9A
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Rohs

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Fairchild - RFD3055LE - MOSFET N, 60 V 11 A 38 W IPAK, RFD3055LE, Fairchild		Fairchild
MOSFET N, 60 V 11 A 38 W IPAK, RFD3055LE, Fairchild

型号：RFD3055LE
仓库库存编号：171-01-014

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
RFD3055LE
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD RFD3055LE		2454584

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 107 mohm, 5 V, 3 V

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RFD3055LE .
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD RFD3055LE .		2077579

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 11A TO-251AA

 (EN)		搜索
RFD3055LESM9A
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD RFD3055LESM9A		2454079

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V

 (EN)		搜索
RFD3055LESM9A.
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD RFD3055LESM9A.		2136321

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A TO-252AA

 (EN)		搜索
RFD3055LESM9A
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD RFD3055LESM9A		2454079RL

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V

 (EN)		搜索
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Fairchild/ON Semiconductor - RFD3055LESM9A - MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA

型号：RFD3055LESM9A
仓库库存编号：RFD3055LESM9ACT-ND
别名：RFD3055LESM9ACT <br>

无铅		搜索

Fairchild/ON Semiconductor - RFD3055LE - MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA

型号：RFD3055LE
仓库库存编号：RFD3055LE-ND

无铅		搜索

Fairchild/ON Semiconductor - RFD3055LESM - MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA

型号：RFD3055LESM
仓库库存编号：RFD3055LESM-ND

无铅		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - RFD3055LESM9A - Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET RFD3055LESM9A, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
RFD3055LESM9A
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
802-2159
搜索
RFD3055LE|FAIRCHILD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
RFD3055LE
制造商型号： RFD3055LE
制造商： FAIRCHILD
描述： RFD3055LE系列 N沟道 60 V 0.107 Ohms 逻辑电平 功率MOSTEF - TO-251AA
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.107 Ω
  • Qg Gate Charge: 11.3 nC
  • Rated Power Dissipation: 38 W

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