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QS6U22TR
- 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V - QS6U22TR
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
QS6U22TR
制造商型号:
QS6U22TR
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 1.5A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 430mohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: -2V
功耗, Pd: 900mW
封装类型: TSMT
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
上升时间: 12ns
下降时间: 20ns
封装/箱盒: TSMT6
晶体管类型: 被保护的MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量: 2.5V
电压, Vds 典型值: -20V
电容值, Ciss 典型值: 270pF
电流, Idm 脉冲: 6A
表面安装器件: SMD
针脚配置: 1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
阈值电压, Vgs th 最低: -0.7V
阈值电压, Vgs th 最高: -2V
产地: KR Korea (Republic of)
手机网站相关详细信息:
QS6U22TR
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
QS6U22TR
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
QS6U22TR
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型号: QS6U22TR 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
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