PTFA043002E V1,PTFA043002E V1|Infineon Technologies-PTFA043002EV1原装现货,PDF下载
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PTFA043002E-V1
库存编号:PTFA043002EV1-ND
Infineon Technologies AG RF MOSFET LDMOS 32V H-30275-40
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PTFA043002E V1
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Infineon Technologies AG

RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA043002EV1XWSA1
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Infineon Technologies AG

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Infineon Technologies AG

LDMOS FET, High Power RF, 300W, 470-860MHz, H-30275-4 Pkg (Alt: PTFA043002E V1)

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Infineon Technologies AG  

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Infineon Technologies - PTFA043002E V1 - IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4

详细描述:RF Mosfet LDMOS 32V 1.55A 800MHz 16dB 100W H-30275-4

型号:PTFA043002E V1
仓库库存编号:PTFA043002E V1-ND
别名:SP000082722 <br>
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PTFA043002E V1|Infineon TechnologiesPTFA043002E V1
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
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PTFA043002E V1|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PTFA043002E V1
制造商型号: PTFA043002E V1
制造商: Infineon Technologies
描述: IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 PTFA043002E
产品相片 2-Flatpack, Fin Leads
产品变化通告 Product Discontinuation 20/Jan/2010
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭RF FET
系列-
包装  托盘  
晶体管类型LDMOS
频率800MHz
增益16dB
电压 - 测试32V
额定电流10µA
噪声系数-
电流 - 测试1.55A
功率 - 输出100W
电压 - 额定65V
封装/外壳2-扁平封装,叶片引线
供应商器件封装H-30275-4
其它名称SP000082722

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