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PHC2300118|NXP
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PHC2300118
制造商型号： PHC2300118
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 300V 0.34A SOT96-1
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 300V 0.34A SOT96-1
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 170mA
  • 漏源电压, Vds: 300V
  • 在电阻RDS（上）: 6ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 1.6W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-96
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-96
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 340mA
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 300V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -300V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 300V
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 340mA
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -235mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 6ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 17ohm

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