数据列表 | PBSS5130T |
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产品相片 | SOT-23-3 |
特色产品 | NXP - I2C Interface |
PCN Design/Specification | Copper Bond Wire 09/Jun/2013 Resin Hardener 02/Jul/2013 PBSS5130T Datasheet Update 09/Jul/2013 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 225mV @ 50mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 260 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 480mW |
频率 - 跃迁 | 200MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
产品目录页面 | 1504 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 568-4346-2 934057988215 PBSS5130T T/R PBSS5130T T/R-ND |