数据列表 | NTMD4820N |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
产品变化通告 | Wire Change 29/Aug/2008 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.9A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 20 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 940pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 750mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMD4820NR2G-ND NTMD4820NR2GOSTR |