NJX1675PDR2G,NJX1675PDR2G|ON Semiconductor代理分销-NJX1675PDR2G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NJX1675PDR2G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 180 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz，120MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
