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NAND128W3A2BN6E|MICRON
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NAND128W3A2BN6E
制造商型号： NAND128W3A2BN6E
制造商： MICRON
描述： 芯片 闪存 NAND 128M
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 芯片 闪存 NAND 128M
  • 存储器类型: 闪存
  • 存储器容量: 128Mbit
  • 内存配置: 16K x 8bit
  • 电源电压最小值: 1.7V
  • 电源电压最大值: 1.95V
  • 封装类型: TSOP
  • 针脚数: 48
  • 存取时间: 12μs
  • 接口类型: -
  • 工作温度最小值: -40°C
  • 工作温度最高值: 85°C
  • MSL: MSL 3 - 168小时
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
  • 分区尺寸: 16896Byte
  • 器件标号: 128
  • 存储器电压 Vcc: 3.3V
  • 存储器类型: 闪存- NAND
  • 存储器类型: Flash, NAND
  • 存储器配置: 16M x 8b
  • 封装/箱盒: TSOP
  • 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  • 接口类型: 并行
  • 每页: 528Byte
  • 电压, Vcc: 3.3V
  • 电源电压范围: 1.7V 至 1.95V, 2.7V 至 3.6V
  • 表面安装器件: SMD
  • 读写周期: 4
  • 读周期 tRC: 50ns
产地： IT Italy

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