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MMBT100_Q
- 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose - MMBT100Q
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MMBT100_Q
制造商型号:
MMBT100_Q
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Fairchild Semiconductor
RoHS:
否
配置:
Single
晶体管极性:
NPN
集电极—基极电压 VCBO:
75 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
6 V
最大直流电集电极电流:
0.5 A
增益带宽产品fT:
250 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:
80 at 100 uA at 1 V
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23
集电极连续电流:
0.5 A
最大功率耗散:
350 mW
最小工作温度:
- 55 C
封装:
Reel
手机网站相关详细信息:
MMBT100_Q
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
MMBT100_Q
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: MMBT100_Q 品牌: Fairchild Semiconductor 备注: 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
*联系人:
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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