MJ11016G,MJ11016G|ON Semiconductor代理分销-MJ11016G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | MJ11012,15,16 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-3 Pkg |
| 标准包装 | 100 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 120V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 4V @ 300mA，30A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1mA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 20A，5V |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 产品目录页面 | 1559 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MJ11016GOS |
