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M29F400BB70N6E
- 芯片 闪存 底部引导 4M - M29F400BB70N6E
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
M29F400BB70N6E
制造商型号:
M29F400BB70N6E
制造商:
MICRON
描述:
芯片 闪存 底部引导 4M
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
芯片 闪存 底部引导 4M
电源电压最小值: 4.5V
电源电压最大值: 5.5V
封装类型: TSOP
针脚数: 48
存取时间: 45ns
工作温度最小值: -40°C
工作温度最高值: 85°C
MSL: MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
器件标号: 29
存储器容量: 4Mbit
存储器电压 Vcc: 5V
存储器类型: Flash, NOR
存储器配置: 512K x 8b / 256K x 16b
封装/箱盒: TSOP
扇区类型: 底部引导
接口类型: 并行
电压, Vcc: 5V
芯片标号: 29F400
表面安装器件: SMD
逻辑功能号: 400
产地: IT Italy
手机网站相关详细信息:
M29F400BB70N6E
旗下站点
www.szcwdz.cn
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*所需产品:
型号: M29F400BB70N6E 品牌: MICRON 备注: 芯片 闪存 底部引导 4M
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Q Q:
800152669
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