型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTH30N50L2 库存编号:747-IXTH30N50L2 | IXYS Corporation | MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds | 109 1起订 | 1+ 10+ 30+ 120+ | ¥336.59 ¥331.27 ¥239.2 ¥234.48 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTH30N50L2 库存编号:IXTH30N50L2 | IXYS Corporation | MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds | 0 300起订 | 300+ | ¥265.91 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTH30N50L2 库存编号:IXTH30N50L2 | IXYS Corporation | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 30A, 400W, TO247-3, 500ns | 0 1起订 | 1+ 3+ 10+ 30+ | ¥227.27 ¥203.83 ¥181.82 ¥162.81 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTH30N50L2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTH30N50L2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTH30N50L2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET,N CH,500V,30A,TO-247
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTH30N50L2 [更多] | IXYS Corporation | Single N Channel 600 V 215 mO 240 nC 400 W Power Mosfet - TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTH30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 30A 500V TO-247 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTH30N50L2 IXYS | MOSFET N-CH 30A 500V TO-247![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTH30N50L2 IXYS | MOSFET N-CH 30A 500V TO-247![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IXTH30N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N沟道 500V 30A TO-247![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTH30N50L2 IXYS | MOSFET N-CH 30A 500V TO-247![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH) 型号:IXTH30N50L2 仓库库存编号:IXTH30N50L2-ND | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IXTH30N50L2![]() | 1829745 | IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V ![]() | 搜索 |
数据列表 | IXT(H,Q,T)30N50L2 |
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产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | Linear L2™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 30A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 200 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 8100pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 400W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |