IXTH30N50L2,IXTH30N50L2|IXYS-IXTH30N50L2原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IXTH30N50L2
库存编号:IXTH30N50L2-ND
Littelfuse Inc MOSFET N-CH 500V 30A TO247603
1起订
1+
30+
120+
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IXTH30N50L2
库存编号:747-IXTH30N50L2
IXYS Corporation MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds109
1起订
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10+
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IXTH30N50L2
库存编号:1829745
IXYS Corporation , MOSFET, N, 500V, 30A, TO-247701
1起订
1+
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10+
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100+
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(含税)
货期
(工作日)
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IXTH30N50L2
库存编号:IXTH30N50L2
IXYS Corporation MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds0
300起订
300+
¥265.91
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IXTH30N50L2
库存编号:IXTH30N50L2
IXYS Corporation Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 30A, 400W, TO247-3, 500ns0
1起订
1+
3+
10+
30+
¥227.27
¥203.83
¥181.82
¥162.81
1-3周询价 询价
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IXTH30N50L2
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXTH30N50L2
[更多]
IXYS Corporation

MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds

RoHS: Compliant

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IXTH30N50L2
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IXYS Corporation

MOSFET,N CH,500V,30A,TO-247

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IXTH30N50L2
[更多]
IXYS Corporation

Single N Channel 600 V 215 mO 240 nC 400 W Power Mosfet - TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXTH30N50L2 IXYS MOSFET N-CH 30A 500V TO-247 查看库存、价格及货期
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IXTH30N50L2|IXYSIXTH30N50L2
IXYS
MOSFET N-CH 30A 500V TO-247
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IXTH30N50L2|IXYSIXTH30N50L2
IXYS
MOSFET N-CH 30A 500V TO-247
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IXTH30N50L2|IXYS SEMICONDUCTORIXTH30N50L2
IXYS SEMICONDUCTOR
场效应管 MOSFET N沟道 500V 30A TO-247
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IXTH30N50L2|IXYSIXTH30N50L2
IXYS
MOSFET N-CH 30A 500V TO-247
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IXYS - IXTH30N50L2 - MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)

型号:IXTH30N50L2
仓库库存编号:IXTH30N50L2-ND
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXTH30N50L2
IXYS SEMICONDUCTOR IXTH30N50L2
1829745

IXYS SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V

(EN)
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IXTH30N50L2|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXTH30N50L2
制造商型号: IXTH30N50L2
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 30A 500V TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IXT(H,Q,T)30N50L2
产品相片 TO-247-3
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Linear L2™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)200 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)240nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)8100pF @ 25V
功率 - 最大值400W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247

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