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IXFN82N60P|Ixys
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFN82N60P
制造商型号： IXFN82N60P
制造商： Ixys
描述： MOSFET DIODE Id82 BVdass600
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:600 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:82 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:750 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
封装:Tube
下降时间:24 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :80 s
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1040 W
上升时间:23 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:79 ns

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