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IXFN34N100|Ixys
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IXFN34N100
制造商型号： IXFN34N100
制造商： Ixys
描述： MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:1000 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:34 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:280 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
封装:Tube
下降时间:30 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:700 W
上升时间:65 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:110 ns

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