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IXFN170N30P
- MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds - IXFN170N30P
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IXFN170N30P
制造商型号:
IXFN170N30P
制造商:
Ixys
描述:
MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
IXYS
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
300 V
闸/源击穿电压:
+/- 30 V
漏极连续电流:
138 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
18 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-227-B
封装:
Tube
下降时间:
16 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
95 S
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
890 W
上升时间:
29 ns
工厂包装数量:
10
典型关闭延迟时间:
79 ns
手机网站相关详细信息:
IXFN170N30P
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
IXFN170N30P
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
IXFN170N30P
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*所需产品:
型号: IXFN170N30P 品牌: Ixys 备注: MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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