型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXFH110N10P 库存编号:747-IXFH110N10P | IXYS Corporation | MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds | 3241 1起订 | 1+ 10+ 30+ 120+ 510+ 1020+ | ¥92.3 ¥82.85 ¥61.22 ¥61.1 ¥55.9 ¥54.84 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXFH110N10P 库存编号:87336870 | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | 0 9起订 | 9+ | ¥114.57 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXFH110N10P 库存编号:IXFH110N10P | IXYS Corporation | MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds | 0 300起订 | 300+ 510+ | ¥65.52 ¥63.05 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXFH110N10P 库存编号:IXFH110N10P | IXYS Corporation | Transistor: N-MOSFET, Polar?, unipolar, 100V, 110A, 480W, TO247-3 | 300 1起订 | 1+ 10+ 30+ 120+ 510+ 1020+ | ¥93.77 ¥77.76 ¥72.62 ¥66.61 ¥60.18 ¥58.75 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXFH110N10P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXFH110N10P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXFH110N10P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXFH110N10P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXFH110N10P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET, N, TO-247
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXFH110N10P [更多] | IXYS Corporation | 100V 110A 0.015 Ohm N-ch TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXFH110N10 | IXYS | MOSFET,N沟道,100V,110A,TO247 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH) 型号:IXFH110N10P 仓库库存编号:IXFH110N10P-ND | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IXFH110N10P 品牌: IXYS 库存编号: 193-492 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IXFH110N10P![]() | 1427285 | IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V ![]() | 搜索 |
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![]() | IXFH110N10 IXYS | MOSFET,N沟道,100V,110A,TO247![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IXFH110N10P IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N型 TO-247![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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典型关断延迟时间 | 65 ns | |
典型接通延迟时间 | 21 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 110 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 3550 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 5.3mm | |
封装类型 | TO-247 | |
尺寸 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 480000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 0.015 Ω | |
最大连续漏极电流 | 110 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 16.26mm | |
高度 | 21.46mm |